超高灵敏度: 灵敏度【cps/ppm】低质量数:7Li ≥100 M,中质量数:115In ≥500 M,高质量数:238U ≥500 M; 氧化物产率(CeO+/Ce+):≤1.8 %
最低运行成本:氩气消耗降低50%
高效:样品分析速率提升 50%
稳定:轻松应对各种复杂基体,确保优异的长期稳定性
灵活:根据不同应用多样化配置仪器
PlasmaQuant MS 无与伦比的灵敏度可显著提高样品分析效率降低单样品分析成本。专利设计的ICP-MS分析确保在极短的积分时间或大比例稀释的前提下,依然可以获得最低的检出限和恒定的分析速率。这就保证了最大的样品通量、分析结果的长期稳定性及重复性,并显著减少日常维护频率。
最佳检出限
高样品通量
显著降低样品前处理工作量
出色的长期稳定性
低维护
业内领先的分析性能和最低使用成本
PlasmaQuant MS无以伦比的高灵敏度实现了业内最低检测限。卓越的质谱分辨率和低丰度同位素最佳检测灵敏度使PlasmaQuant MS在超低痕量分析、超低浓度形态分析、直径小于10nm的单纳米颗粒物分析和高精密度同位素比值分析等应用领域获得最佳的分析结果。PlasmaQuant MS卓越的灵敏度使其能够在确保精密度和重复性的前提下显著缩短分析时间。专利的质谱干扰消除系统iCRC可高效、简洁、快速地消除ICP-MS分析中的质谱干扰,不同气体模式之间的快速切换及专利的BOOST技术,即便应对要求苛刻的样品依然可以轻松获得出色的长期稳定性和业内领先的分析速度。
PlasmaQuant MS降低氩气消耗50%。专利的等离子体聚焦技术在确保极低氧化物产率(<2% CeO+ /Ce+ )的前提下,增强等离子体基体耐受性的同时,等离子气消耗量小于9L/min。检测器在脉冲计数模式下可高达11个数量级(0.1-1010 cps)的动态线性范围,在样品分析时实现了从超低痕量到高浓度的快速准确的多元素分析,并极大的延长检测器的使用寿命。